SM12T1 / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Рабочее напряжение 12 В, Количество линий ограничения 2 , Напряжение ограничения (диапазон), min 13.3 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 15.75 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 12V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB , Ток утечки при рабочем напряжении 1 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 300 Вт, Тип супрессора по свойствам однонаправленный , Напряжение ограничения (номинальное) 14.53 В, Максимальное импульсное напряжение 19 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Рабочее напряжение12 В
-
Количество линий ограничения2
-
Напряжение ограничения (диапазон), min13.3 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max15.75 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 300W, 12V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB
-
Ток утечки при рабочем напряжении1 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность300 Вт
-
Тип супрессора по свойствамоднонаправленный
-
Напряжение ограничения (номинальное)14.53 В
-
Максимальное импульсное напряжение19 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт