Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Примечание RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
—
Тип проводимости и конфигурация
N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность
225 мВт
Примечание
RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET