SZESD5B5.0ST5G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Напряжение ограничения (номинальное) 6.8 В, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Рабочее напряжение 5 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 5.8 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 7.8 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 50W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon , Ток утечки при рабочем напряжении 1 мкА, Пиковая рассеиваемая мощность 50 Вт, Тип супрессора по свойствам двунаправленный
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Напряжение ограничения (номинальное)6.8 В
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Рабочее напряжение5 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min5.8 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max7.8 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 50W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
-
Ток утечки при рабочем напряжении1 мкА
-
Пиковая рассеиваемая мощность50 Вт
-
Тип супрессора по свойствамдвунаправленный