TIP102G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:2V; Power Dissipation:2W; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:3A; Device Marking:TIP102; Pins, No. of:3; Power, Ptot:80W; Voltage, Vcbo:100V; Voltage, Vceo Max:100V
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация NPN Darl. , Комплементарная пара TIP107 , Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 20 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN Darl.
-
Комплементарная параTIP107
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max20
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin