TIP106G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Корпус TO220AB , Тип проводимости и конфигурация PNP Darl. , Комплементарная пара TIP101 , Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Граничная рабочая частота 4 МГц, Коэффициент усиления по току, min 1000 , Коэффициент усиления по току, max 20 , Примечание Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP Darl.
-
Комплементарная параTIP101
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора8 А
-
Граничная рабочая частота4 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min1000
-
Коэффициент усиления по току, max20
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin