TIP117G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
T0220-3/ PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS PNP 2A 100V
Корпус TO220 , Тип проводимости и конфигурация PNP Darl. , Комплементарная пара TIP112 , Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 25 МГц, Коэффициент усиления по току, min 500 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP Darl.
-
Комплементарная параTIP112
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота25 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min500
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin