PJT7801_R1_00001 / Pan Jit
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 12000 шт | — |
35,61
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET