2N722 / RAY
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 400 мВт, Напряжение КЭ максимальное 35 В, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное35 В
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18