2SB1151-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 19986 шт | — |
100,33
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность1.3 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора5 А
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin