2SC5006-T1-A-FB / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 125 мВт, Напряжение КЭ максимальное 12 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 4.5 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность125 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное12 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота4.5 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN