2SD1694-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 500 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 50491 шт | — |
63,77
от 3237 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.3 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min500
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin