2SJ495 / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 35 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 293 шт | — |
605,59
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность35 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET