2SJ598-Z-E1-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 23 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 887 шт | — |
164,62
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность23 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252