2SK1160-E / Renesas
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 800 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 800 мОм, Рассеиваемая мощность 60 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2782 шт | — |
328,19
от 585 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток500 В
-
Ток стока номинальный при 25°C8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min800 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max800 мОм
-
Рассеиваемая мощность60 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB