HAT2267H-EL-E / Renesas
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C 25 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 21 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 21 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Заряд затвора 30 нКл, Рассеиваемая мощность 25 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 2 150 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 0 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток80 В
-
Ток стока номинальный при 25°C25 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min21 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max21 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Заряд затвора30 нКл
-
Рассеиваемая мощность25 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора2 150 пФ