NE5500234-T1-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C 1 А, Рассеиваемая мощность 10 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C1 А
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET