TSE2004GB2C0NCG8 / Renesas
Добавить к сравнению
Тип памяти MEMORY CIRCUIT , Подтип памяти MEMORY CIRCUIT , Организация памяти 512X8 , Напряжение питания, min 2.2 В, Напряжение питания, max 3.6 В, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 125 °C
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 17824 шт | — |
265,74
от 1815 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип памятиMEMORY CIRCUIT
-
Подтип памятиMEMORY CIRCUIT
-
Организация памяти512X8
-
Напряжение питания, min2.2 В
-
Напряжение питания, max3.6 В
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура125 °C