2SA1577T106Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 47819 шт | — |
52,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon