2SA1834TLR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 10 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 14426 шт | — |
364,42
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора10 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon