2SA2029T2LQ / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус VMT3 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 632184 шт | — |
52,88
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусVMT3
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon