2SA2072TLQ / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4320 шт | — |
60,38
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота180 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon