2SB1184TLQ / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 70 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 15100 шт | — |
23,73
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота70 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon