2SB1386T100R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, 20V, SC-62
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 5 А, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 119204 шт | — |
12,50
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора5 А
-
Граничная рабочая частота120 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon