2SB1695KT146 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 1.5 А, Граничная рабочая частота 280 МГц, Коэффициент усиления по току, min 270 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 45458 шт | — |
120,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора1.5 А
-
Граничная рабочая частота280 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min270
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon