2SC2413KT146P / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 5682 шт | — |
53,20
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon