2SC3838KT146P / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Transistor
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 11 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 3.2 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 60656 шт | — |
42,11
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное11 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота3.2 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN