2SC4081T106Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR,NPN,50V,0.15A, SOT-323
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 312512 шт | — |
47,14
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота180 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon