2SC4102T106R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
BIPOLAR TRANSISTOR
Корпус SC72 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 215563 шт | — |
40,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSC72
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon