Корпус TO126 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 4 Вт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 400 МГц, Коэффициент усиления по току, min 560 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
89,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|