2SC4617TLS / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, 50V, EMT3
Корпус SOT416 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 270 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 96572 шт | — |
43,73
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT416
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора150 мА
-
Граничная рабочая частота180 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min270
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
