2SC5585TL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT416 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 12 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 320 МГц, Коэффициент усиления по току, min 270 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 71401 шт | — |
100,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT416
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное12 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота320 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min270
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon