2SC5661T2LP / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR
Корпус VMT3 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 1.5 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 23375 шт | — |
136,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусVMT3
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота1.5 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN