2SCR543DTL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 12020 шт | — |
181,71
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon