2SD1664T100R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO243 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 181148 шт | — |
22,38
от 999 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO243
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon