2SD1758TLR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1754 шт | — |
180,51
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon