2SD1898T100P / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1999 шт | — |
94,69
от 512 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon