2SD2114KT146V / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR SMT3
Корпус SOT346 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 350 МГц, Коэффициент усиления по току, min 820 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 308214 шт | — |
74,98
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT346
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота350 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min820
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon