2SD2153T100V / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 110 МГц, Коэффициент усиления по току, min 820 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1800 шт | — |
52,85
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота110 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min820
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon