2SD2537T100V / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 1.2 А, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 820 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 60729 шт | — |
192,86
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора1.2 А
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min820
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon