2SK3018T106 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR SWITCHING MOSFET; Transistor Type:Small Signal; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:10mA; Resistance, Rds On:8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4V; Voltage, Vgs th Typ:1.5V; Case Style:SOT-323; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C
Корпус SOT323 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 13 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 218589 шт | — |
7,71
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса100 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max8 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора13 пФ