2SK3065T100 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT89 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 320 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 450 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 450 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 500 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 160 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 459931 шт | — |
11,30
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)320 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min450 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max450 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора160 пФ