Корпус VMT3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 150 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 13 пФ
Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
---|---|---|---|---|---|
912122 шт | — |
67,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Показать еще предложения
Скрыть предложения |
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.