2SK3541T2L / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR
Корпус VMT3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 150 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 13 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 912122 шт | — |
67,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусVMT3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса100 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max8 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора13 пФ