BCX19T116 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 425 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 35 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 49450 шт | — |
92,41
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность425 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии700 мВ
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon