DTDG14GPT100 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 70 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 80 МГц, Коэффициент усиления по току, min 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 20740 шт | — |
136,86
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное70 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии400 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота80 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon