IMD9AT108 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
NPN/PNP DIGIT.10K/47K 50V SMT6
Корпус SOT457 , Тип проводимости и конфигурация NPN AND PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 70 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 18450 шт | — |
93,01
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT457
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN AND PNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора70 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min68
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon