IMX8T108 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Transistor (BJT) - Arrays ROHM Semiconductor IMX8T108 SMT6 2 NPN
Корпус SC74 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 131741 шт | — |
91,31
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSC74
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное120 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon