QS5U16TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 154 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 154 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Заряд затвора 3.9 нКл, Рассеиваемая мощность 900 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 175 пФ, Особенности Schottky Diode (Isolated)
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 5576 шт | — |
91,24
от 1050 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток30 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)100 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min154 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max154 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Заряд затвора3.9 нКл
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора175 пФ
-
ОсобенностиSchottky Diode (Isolated)