R6008FNJTL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, N-CH, 600V, 8A, TO-263
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 950 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 950 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 950 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 20 нКл, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 580 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 204 шт | — |
104,69
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса8 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)950 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min950 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max950 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора20 нКл
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора580 пФ