R6025ANZC8 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO3PF , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 25 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 150 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 150 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 88 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 3 250 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 30 шт | — |
939,14
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3PF
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса25 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min150 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max150 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора88 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора3 250 пФ