RJP020N06T100 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
N-CHAN.MOS-FET+ESD 2A 60V MPT3
Корпус SOT89 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 240 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 300 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 300 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 10 нКл, Рассеиваемая мощность 500 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 160 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 313964 шт | — |
175,96
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)240 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min300 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max300 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора10 нКл
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора160 пФ